For Wet Etching
EcoPeeler™ Application
◇ Wet etching
◇ 高選択性SiO2エッチング剤
SiN、W、TiN、Siなどに対してダメージなくSiO2を選択的にエッチングする高選択性のエッチング液です。犠牲膜のウェットエッチング用として、周辺材料に対するエッチング選択性を高め、SiO2だけを標的としてエッチングします。
また、独自の表面スイッチング機能により、リンス時に表面保護層を完全に除去する機構を付与することができるため、リンス時のウォーターマークの発生がありません。
| エッチング対象 | : |
SiO2、TEOS、SOG、BPSG、PSG、FSG Ni、Alなど |
| 保護対象 | : | TiN、Ti、Ta、TaN、W、SiN、SiCN、SiON |
| 主な機能 | : |
SiO2を標的としたエッチング SiN、Si、TiN、Wに対するエッチング保護 低表面張力 |
| 付加機能 | : | 保護層の除去 |
| 対応薬液 | : | EcoPeeler™ SN-30シリーズ |
◇ 低速シリコンエッチング剤
極めて微細な領域でのシリコン、ドープドシリコンの低速エッチングを目的としたエッチング液です。前処理として自然酸化膜の除去を行ったあと、選択的にSi層を標的としてウェットエッチングを行います。特にゲート周辺材料に対する保護機能を有しているため、前処理以外での周辺材料に対するダメージが生じません。また、Siに対する反応制御技術を用いているため、Siに対するエッチングレートの制御性が極めて高いことが特徴です。
| エッチング対象 | : | Si、Poly-Si、Doped Poly-Si、α-Si |
| 保護対象 | : | W、WN、WSi、SiO2、TEOS、SOG、BPSG、PSG TiN、Ti、Ta、TaN、SiN、SiCN、SiONなど |
| 主な機能 | : |
Si、Poly-Si、Doped Poly-Siのエッチング W、WSi、WN、 |
| 前処理 | : | 自然酸化膜の除去 |
| 対応薬液 | : | EcoPeeler™ SN-05シリーズ |
◇ SiO2スライトエッチング剤
EcoPeeler™ 独自のEtchant Controlling TechnologyとSurface Reaction Controlling Technologyを採用し、サブオングストロームレベルのエッチングレートをコントロールすることのできるSiO2スライトエッチング液です。
極めて安定的にエッチングレートを制御する技術を有しているため、微細な領域におけるエッチング残渣、アッシング残渣の除去、異物の除去等スライトエッチングを必要とするプロセスで有効な薬液です。
また、対象とする物質に対しての表面張力、リフトオフ効果、表面の改質などの機能を付与できるため、活用用途は多岐に渡ります。
| エッチング対象 | : |
SiO2、TEOS、SOG、BPSG、PSG、FSG |
| エッチングレート | : | 0.1〜5Å/min (as Th-SiO2) |
| 主な機能 | : |
SiO2のスライトエッチング サブオングストロームレベルのエッチングレート制御 周辺材料へのエッチング選択性の制御 |
| 付加機能 | : |
表面張力制御 リフトオフ機能 表面改質・処理後の濡れ性の改善 |
| 対応薬液 | : |
EcoPeeler™ SE-700シリーズ
EcoPeeler™ SE-800シリーズ |