Si Semiconductor Process
EcoPeeler™ Application
□ Gate patterning process
▼ Process Flow
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
アッシング前洗浄
アッシング前洗浄
ドライエッチング後のレジスト除去をアッシングで行いたいが、ドライエッチング残渣が多く、アッシング後の残渣除去が難しいときに有効な方法です。
Ashing
残渣除去
エッチング・アッシング残渣除去
EcoPeeler™の基盤技術である標的反応制御技術と、Etchant Controlling Technologyを組み合わせ、ゲート形成プロセスのエッチング・アッシング残渣を効果的に除去することができます。
ゲート加工
ゲートリセスエッチング
ゲート構造などにおけるPoly-Si、Doped-Poly-Siなどを選択的にエッチングする薬液です。エッチングレートは低速ですが、材料選択性が極めてよく、その他ゲート周辺材料へのダメージがありません。
タングステン酸化層除去
タングステン表面に形成される酸化タングステン層のみを短時間で除去し、タングステン、シリコンその他の周辺材料に対してダメージレスであることが最大の特徴です。コンタクト不良、埋め込み不良等の問題に対して有効なプロセス構築ができます。
金属酸化層除去
ゲート周辺の金属表面に形成される金属酸化層のみを短時間で除去し、金属、シリコンその他の周辺材料に対してダメージレスであることが最大の特徴です。コンタクト不良、埋め込み不良等の問題に対して有効なプロセス構築ができます。
□ Contact形成工程
▼ Process Flow
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
アッシング前洗浄
アッシング前洗浄
ドライエッチング後のレジスト除去をアッシングで行いたいが、ドライエッチング残渣が多く、アッシング後の残渣除去が難しいときに有効な方法です。
Ashing
残渣除去
エッチング・アッシング残渣除去
EcoPeeler™の基盤技術である標的反応制御技術、界面反応制御技術、Etchant Controlling Technologyを組み合わせ、コンタクトホールのエッチング・アッシング残渣を効果的に除去する薬液です。
積層化された層間絶縁膜のエッチングレートの選択性をコントロールすることができるため、処理後の形状を理想的な形状に調節することができます。
また、W、TiN、Ta、NiSi、CoSi、Coなどのコンタクト表面の酸化層を金属層にダメージなく除去することができます。
HARC残渣除去
EcoPeeler™の基盤技術である標的反応制御技術、界面反応制御技術、Etchant Controlling Technologyを組み合わせ、高アスペクト比コンタクトホール用に最適化した薬液です。
積層化された薬液耐性の異なる複数の層間絶縁膜に対するエッチングレートをサブオングストロームレベルでコントロール可能です。
また、ドライエッチング後の形状により、その後の埋め込みに向けた形状を改善するためにエッチングレート比を最適化することも可能です。
コンタクトプラグ洗浄
□ Al配線工程
▼ Process Flow
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
アッシング前洗浄
アッシング前洗浄
ドライエッチング後のレジスト除去をアッシングで行いたいが、ドライエッチング残渣が多く、アッシング後の残渣除去が難しいときに有効な方法です。
Ashing
残渣除去
エッチング・アッシング残渣除去
EcoPeeler™の根源であるAl配線用の除去剤です。すべてのグレードで直接水リンスが可能で有機溶媒による中間リンスが不要です。スタンダードグレード、ダメージレス洗浄、積層金属配線用の３つのタイプを準備しております。
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
Via hole洗浄
□ Cu配線工程
▼ Process Flow
成膜
Photo Lithography
Dry Etching
Ashing
残渣除去
エッチング・アッシング残渣除去
Cu用除去剤 EcoPeeler™ KF6000は、EcoPeeler™の先進技術が最も濃縮されたグレードです。Cuをエッチングすることなく、表面の酸化層を超高速で除去でき、溶存酸素酸化がないことが大きな特徴です。
EcoPeeler™ KF6000 シリーズには、スタンダードグレードのLSシリーズと最先端ノードに適応性を持つCTシリーズの2つのシリーズを準備しております。
成膜
CMP
◇ Wet etching
◇ 高選択性SiO2エッチング剤
SiN、W、TiN、Siなどに対してダメージなくSiO2を選択的にエッチングする高選択性のエッチング液です。犠牲膜のウェットエッチング用として、周辺材料に対するエッチング選択性を高め、SiO2だけを標的としてエッチングします。
また、独自の表面スイッチング機能により、リンス時に表面保護層を完全に除去する機構を付与することができるため、リンス時のウォーターマークの発生がありません。
◇ 低速シリコンエッチング剤
極めて微細な領域でのシリコン、ドープドシリコンの低速エッチングを目的としたエッチング液です。前処理として自然酸化膜の除去を行ったあと、選択的にSi層を標的としてウェットエッチングを行います。特にゲート周辺材料に対する保護機能を有しているため、前処理以外での周辺材料に対するダメージが生じません。また、Siに対する反応制御技術を用いているため、Siに対するエッチングレートの制御性が極めて高いことが特徴です。
◇ SiO2スライトエッチング剤
EcoPeeler™ 独自のEtchant Controlling TechnologyとSurface Reaction Controlling Technologyを採用し、サブオングストロームレベルのエッチングレートをコントロールすることのできるSiO2スライトエッチング液です。
極めて安定的にエッチングレートを制御する技術を有しているため、微細な領域におけるエッチング残渣、アッシング残渣の除去、異物の除去等スライトエッチングを必要とするプロセスで有効な薬液です。
また、対象とする物質に対しての表面張力、リフトオフ効果、表面の改質などの機能を付与できるため、活用用途は多岐に渡ります。
□ 工程間・後工程
◇ 超高性能表面処理剤
銅、真鍮、鉄、コバルトなどの表面に数分子層レベルで被膜を形成することで酸化を防止する機能性薬液です。その酸化防止機能は、Benzotriazoleを上回る性能で、長期間高温高湿条件下でも表面酸化が生じないことが大きな特徴です。